شاركنا تاريخ ميلادك!
تاريخ الميلاد
تاريخ الميلاد المدخل غير مكتمل يرجى ادخال تاريخ ميلاد صحيح
×
Atomic-Scale Characterization of Hydrogenated Amorphous-Silicon Films and Devices by - Paperback
58.80 درهم

Atomic-Scale Characterization of Hydrogenated Amorphous-Silicon Films and Devices by - Paperback

كن أول من يقيِّم هذا المنتج 

58.80 درهم 

  - ستوفر -58.80 درهم
الأسعار تشمل ضريبة القيمة المضافة  التفاصيل
رقم ال ISBN
9781249358923
الفئات
سياسة
الناشر
Bibliogov
غلاف الكتاب
غلاف عادي
الوصف:

Properties of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) films used in photovoltaic (PV) panels are reported. The atomic-scale topology of the surface of intrinsic a-Si: H films, measured by scanning tunneling microscopy (STM) as a function of film thickness, are reported and diagnosed. For 1-500-nm-thick films deposited under normal device-quality conditions from silane discharges, most ...

تشحن من الولايات المتحدة
اشحن الى دبي (تغيير المدينة)
التوصيل خلال السبت ٣ نوفمبر - الأحد ٤ نوفمبر الي دبي

حالة السلعة:
جديدة
البائع:
InternationalBookStore (85% تقييم ايجابي)

معلومات المنتج

  •  

    المواصفات

    رقم ال ISBN
    9781249358923
    الفئات
    سياسة
    الرقم المميز للسلعة
    2724351775063
    المؤلفين
    الناشر
    Bibliogov
    معلومات تقنية
    غلاف الكتاب
    غلاف عادي
    رقم ال ISBN
    9781249358923
    الفئات
    سياسة
    الرقم المميز للسلعة
    2724351775063
    المؤلفين
    الناشر
    Bibliogov
    معلومات تقنية
    غلاف الكتاب
    غلاف عادي
    اللغات والبلدان
    لغة الكتاب
    الانجليزية
    إقرأ المزيد
  •  

    الوصف:

    Properties of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) films used in photovoltaic (PV) panels are reported. The atomic-scale topology of the surface of intrinsic a-Si: H films, measured by scanning tunneling microscopy (STM) as a function of film thickness, are reported and diagnosed. For

    Properties of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) films used in photovoltaic (PV) panels are reported. The atomic-scale topology of the surface of intrinsic a-Si: H films, measured by scanning tunneling microscopy (STM) as a function of film thickness, are reported and diagnosed. For 1-500-nm-thick films deposited under normal device-quality conditions from silane discharges, most portions of these surfaces are uniformly hilly without indications of void regions. However, the STM images indicate that 2-6-nm silicon particulates are continuously deposited into the growing film from the discharge and fill approximately 0.01 percent of the film volume. Although the STM data are not sensitive to the local electronic properties near these particulates, it is very likely that the void regions grow around them and have a deleterious effect on a-Si: H photovoltaics. Preliminary observations of particulates in the discharge, based on light scattering, confirm that particulates are present in the discharge and that many collect and agglomerate immediately downstream of the electrodes. Progress toward STM measurements of the electronic properties of cross-sectioned a-Si: H PV cells is also repor.

    خصائص المنتج:
    • الفئات: سياسة
    • غلاف الكتاب: غلاف عادي
    • لغة الكتاب: الانجليزية
    • الناشر: Bibliogov
    • رقم ال ISBN: 9781249358923
    • عدد الصفحات: 26
    • لأبعاد (الارتفاع*العرض*العمق): 9.69 x 7.44 x 0.05 inches
 

تقييمات المستخدمين

0
لا يوجد تقييمات بعد
كن أول من يقيِّم هذا المنتج
قيِّم هذا المنتج:

إعلانات مُموَّلة لك

×

الرجاء تأكيد رقم هاتفك الجوال لإكمال عملية الشراء

سنقوم بإرسال رسالة نصية تحتوي على رمز التفعيل، الرجاء التأكد من رقم هاتفك الجوال ادناه، ثم انقر على زر "أرسل رمز التفعيل".